シリコンと化合物半導体とのハイブリッド光検出器
次世代シリコンLSIのグローバル配線として従来の電気配線から光配線へ移行することにより、動作速度10GHz以上のLSIが実現できる。 ただし、そのためには導波路、光源、検出器などが必要であり、導波路以外はシリコン以外の材料で形成する必要がある。 そこで、これまでの光通信分野で培われてきた化合物半導体とハイブリッド化させることで、シリコンLSI上への光デバイス （特に光検出器）の作製を試みている。
CMOS技術を用いた光インターコネクション用光集積回路
上記で示したように、LSI上に光導波路が必要となる。 しかし、従来の光導波路は各研究機関が半導体微細プロセスを用いて独自に作製しているのみであり、 LSIプロセスとの融合は困難である。 そこで、LSI作製に用いるCMOS技術用いて光配線の作製を行っている。 具体的には、LSI設計用のCADを用いて光導波路パターンを設計し、 この設計データを用いてVDECによるCMOSプロセスラインに依頼し光導波路の作製を行っている。